P/N: MZ-V9S4T0BW
Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB PCIe 4.0 NVMe 2.0
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Potencie su equipo con el Samsung 990 EVO Plus SSD de 4TB, diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional y velocidad sin igual. Con una interfaz PCIe Gen 4.0 x4 y NVMe 2.0, este disco de estado sólido redefine lo que puede hacer su PC y se adapta a las necesidades de los usuarios más exigentes.
Experimente velocidades de lectura secuencial de hasta 7250 MB/s y escritura secuencial de hasta 6300 MB/s, ideales para transferencias de archivos grandes y un rendimiento fluido en tareas intensivas. Además, con una capacidad de hasta 1,050,000 IOPS en lecturas aleatorias y 1,400,000 IOPS en escrituras aleatorias, el 990 EVO Plus garantiza una experiencia ágil, ya sea que esté jugando, editando videos o ejecutando aplicaciones pesadas.
La sofisticada tecnología de memoria caché HMB, junto con el soporte para TRIM y S.M.A.R.T, asegura que su SSD se mantenga optimizado y fiable durante toda su vida útil. Con su cifrado AES de 256 bits y soporte para el modo de suspensión del dispositivo, su información estará protegida y segura.
Este SSD no solo es rápido, sino que también es eficiente en el consumo de energía, con un promedio de 5,5 W durante la lectura y 4,8 W durante la escritura. Esto se traduce en menos consumo en reposo, permitiéndole disfrutar de un rendimiento superior sin sacrificar la eficiencia energética.
Diseñado para soportar condiciones exigentes, el Samsung 990 EVO Plus ofrece una fiabilidad impresionante con un MTBF de 1.5 millones de horas y una robustez ante choques de hasta 1,500 G. Todo esto, en un elegante formato M.2 (2280), compacto y ligero, con unas dimensiones de 80,15 x 22,15 x 2,38 mm y un peso máximo de 9 g.
Marca | Samsung |
Modelo | MZ-V9S4T0BW |
Capacidad | 4TB |
Interfaz | PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 |
Tamaño | M.2 (2280) |
Rendimiento Lectura Secuencial | Hasta 7250 MB/s |
Rendimiento Escritura Secuencial | Hasta 6300 MB/s |
Lectura Aleatoria (4KB, QD32) | Hasta 1,050,000 IOPS |
Escritura Aleatoria (4KB, QD32) | Hasta 1,400,000 IOPS |
Consumo promedio de energía | Lectura 5,5 W / Escritura 4,8 W |
Consumo de energía (inactivo) | Típico 60 mW |
Consumo energético (reposo) | 5 mW típico |
Voltaje permitido | 3,3 V ± 5% |
Temperatura de funcionamiento | 0 - 70 ºC |
Confiabilidad (MTBF) | 1,5 millones |
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